Optical and recombination properties of dislocations in cast-mono silicon from short wave infrared luminescence imaging
Domaines
Autre [cond-mat.other]| Origine | Fichiers éditeurs autorisés sur une archive ouverte |
|---|
Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2020
Laurent Lombez : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03090687
Soumis le : mardi 29 décembre 2020-23:20:53
Dernière modification le : vendredi 19 avril 2024-16:18:56
Archivage à long terme le : mardi 30 mars 2021-20:12:33
Citer
Daniel Ory, Thibaud Hildebrandt, L. Lombez. Optical and recombination properties of dislocations in cast-mono silicon from short wave infrared luminescence imaging. Journal of Applied Physics, 2020, 127, ⟨10.1063/1.5140245⟩. ⟨hal-03090687⟩
85
Consultations
65
Téléchargements